BLOG KULIAH

FET bisa disebut transistor unipolar, yaitu hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan namun tergantung dari tipe FET itu sendiri. Arus listrik utama pada FETmengalir dalam satu saluran konduksi sempit dengan zona deflesi di kedua sisinya, berbeda dengan transistor bipolar di mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama. FET terdiri dari dua kategori yaitu JFET atau Junction FET dan Insulated Gate FET atau IGFET yang juga dikenal sebagai MOSFET.

gambar FET di proteus

gambar

Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan perpindahan muatan pembawanya yaitu electron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan electon atau hole di kutub positif. Transistor Bipolar juga sering disebut juga dengan singkatan BJT yang kepanjangannya adalah Bipolar Junction Transistor.

gambar BJT di proteus

Battery

Baterai adalah alat elektronik yang berfungsi menyediakan arus listrik dengan menyimpan energi potensi listrik dalam bentuk sel elektrokimia (sel volta). Ketika kutub posittif dan negatif baterai di hubungkan, potensi listrik kedua kutub akan menyebabkan arus listrik mengalir.

gambar battery

Sinyal AC (SINE)

Arus listrik AC (alternating current), merupakan listrik yang besarnya dan arah arusnya selalu berubah-ubah dan bolak-balik. Arus listrik AC akan membentuk suatu gelombang yang dinamakan dengan gelombang sinus atau lebih lengkapnya sinusoida.

Osiloskop

Pengertian osiloskop secara sederhana dapat diartikan sebagai alat ukur elektronik yang dapat memetakan dan memproyeksi sinyal listrik dan frekuensi komponen elektronika. Osiloskop ini memetakan hasil pengukurannya dalam bentuk digital maupun grafik sehingga lebih mudah untuk dibaca dan di pelajari.

gambar osiloskop di proteus

gambar osiloskop

Function Generator

Generator Fungsi atau Function Generator adalah suatu alat yang menghasilkan sinyal/gelombang dimana frekuensi serta amplitudonya dapat diubah-ubah. Gelombang yang dihasilkan pada umumnya yaitu gelombang sinusoidal, gelombang segitiga, dan gelombang segi empat. Pada umumnya Generator Fungsi digunakan berdampingan dengan Osiloskop.

gambar function di proteus

gambar osiloskop

Ground

Grounding atau Pentanahan adalah sistem pentanahan yang terpasang pada suatu instalasi listrik yang bekerja untuk meniadakan beda potensial dengan mengalirkan arus sisa dari kebocoran tegangan atau arus dari sambaran petir ke bumi

gambar ground di proteus

gambar ground

3. DASAR TEORI

Combination network ini merupakan konfigurasi antara BJT dan FET. Yang mengakibatkan analisis jaringan dikedua perangkat terjadi dengan sendirinya.

4. PRINSIP KERJA

Dari gambar dapat dilihat bahwa Vc dihubungkan ke Vb oleh Vgs, sehingga kita bisa mendapatkan nilai Vb apabila dapat menemukan nilai Vgs, sehingga Vc dapat ditentukan menggunakan rumus:

Dan nilai Vgsq dapat dihitung menggunakan Vgsq persamaan Shockley:

Contoh :

Tentukan VD untuk jaringan Gambar 6.47.

Gambar 6.47

Solusi :

Dalam hal ini, tidak ada jalur yang jelas untuk menentukan level tegangan atau arus untuk

konfigurasi transistor. Namun, beralih ke JFET yang bias sendiri, persamaan untuk VGS dapat diturunkan dan titik diam yang dihasilkan ditentukan menggunakan grafik

teknik.

Itu menghasilkan garis bias diri yang muncul pada Gambar 6.48

EXAMPLE

Contoh 6.13

Gambar 6.45

Tentukan tingkat V_D dan V_C untuk jaringan Gambar. 6.45.

Solusi

Dari pengalaman masa lalu kita sekarang menyadari bahwa V_GS biasanya merupakan jumlah yang penting menentukan atau menulis persamaan ketika menganalisis jaringan JFET. Karena V_GS adalah a tingkat di mana solusi langsung tidak jelas, mari kita mengalihkan perhatian kita ke konfigurasi transistor. Konfigurasi pembagi tegangan adalah salah satu tempat perkiraan teknik dapat diterapkan (βR_E= (180 X 1,6 kΩ)= 288 kΩ > 10R₂ 240 kΩ), memungkinkan penentuan V_B menggunakan aturan pembagi tegangan pada sirkuit input.

Pertanyaan tentang bagaimana menentukan V_C tidak begitu jelas. Baik V_CEdan V_DS tidak diketahui jumlah yang mencegah kami membuat tautan antara V_D dan V_C atau dari V_E ke V_D. Pemeriksaan yang lebih hati-hati dari Gambar 6.45 mengungkapkan bahwa V_C terkait dengan V_B oleh V_GS (dengan asumsi V_RG 0 V). Karena kita tahu V_B jika kita dapat menemukan V_GS, V_C bisa ditentukan dari

Pertanyaan kemudian muncul bagaimana menemukan tingkat V_GSQ dari diam nilai I_D. Keduanya terkait oleh persamaan Shockley:

dan V_GSQ dapat ditemukan secara matematis dengan memecahkan V_GSQ dan mengganti numerik nilai-nilai. Namun, mari kita beralih ke pendekatan grafis dan cukup bekerja di urutan terbalik digunakan pada bagian sebelumnya. Karakteristik transfer JFET pertama kali dibuat sketsa seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 6.46. Tingkat I_DQ kemudian ditetapkan secara horizontal baris seperti yang ditunjukkan pada gambar yang sama. V_GSQ kemudian ditentukan dengan menjatuhkan garis turun dari titik operasi ke sumbu horizontal, menghasilkan

Tingkat V_C:

Gambar 6.46 Menentukan Q-point untuk jaringan Fig. 6.45

Contoh 6.14

Gambar 6.47

Tentukan V_D untuk jaringan Gambar 6.47.

Solusi

Dalam hal ini, tidak ada jalur yang jelas untuk menentukan level tegangan atau arus untuk konfigurasi transistor. Namun, beralih ke JFET yang bias sendiri, persamaan untuk V_GSdapat diturunkan dan titik diam yang dihasilkan ditentukan menggunakan grafik teknik. Itu adalah,